传长鑫已开始量产HBM2显存 突破封锁助力国产化

2024-11-17 05:31:30 admin

有外媒消息称长鑫目前已经开启量产HBM2产品,传长存突产化相较于原计划大幅提前。鑫已M显

近年来伴随着人工智能热潮的开始到来,计算卡逐渐畅销,量产力国高带宽内存的破封需求急剧上升,让这一趋势愈加明显。锁助三星、传长存突产化SK海力士和美光是鑫已M显HBM市场的三大巨头,目前都在加速开发新产品,开始并积极地扩张产能。量产力国此前就有报道称,破封国内存储厂商武汉新芯(XMC)和长鑫存储(CXMT)正处于HBM制造的锁助早期阶段,目标2026年量产。传长存突产化但有外媒消息称长鑫目前已经开启量产HBM2产品,鑫已M显相较于原计划大幅提前。开始

HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存芯片)是将多个DDR内存堆叠,实现大容量,高位宽的DDR组合阵列,其研究和制造涉及复杂的工艺和技术挑战,包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。另外还涉及硅通孔(TVS)、凸块、微凸块和RDL等工艺,其中硅通孔占据最高的封装成本比例,接近30%。目前AI芯片的主流解决方案是采用CoWoS封装,其中集成了逻辑芯片和HBM芯片。国内一些芯片厂商也有同样的需求,这也迫使其他晶圆代工厂,比如中芯国际开发更先进的封装技术,以满足客户的芯片生产需求。

今年初有消息称,长鑫存储已经获得用于HBM存储器组装和测试的装置,在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂,并筹集资金建造第二座,将引入更先进的工艺技术,用于制造和封装HBM存储器。一般来说,至少一年甚至两年时间才能准备HBM生产所需要的工具。

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